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领先业界至少 2

2020年10月17日 15:30来源:未知手机版

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日前,根据《中国(上海)自由贸易试验区临港新片区促进产业发展若干政策》,临港新片区管委会审核完成了2020年第一批高新产业和科技创新专项项目的评审工作。评审结果显示,上海川源信息科技有限公司由于在工业互联网、智能制造等领域的关键核心技术研发优势,成功获得新一代信息技术领域的高新产业和科技创新专项项目立项。

评审专家表示,上海川源在新一代NVMe-over fabrics(oF) 全闪存架构关键技术具备领导地位。川源采用自主可控的闪存管理算法、在新一代 NVMe-oF数据中心全闪存架构下以超高性能的方式实现数据保护、进阶功能,将存储控制器的扩展与存储介质的扩展完全解耦,以虚拟全闪存阵列(vAFA,Virtual All-Flash Array)的概念搭配可组合基础设施(Composable Infrastructure)的形式,为新一代全闪存数据中心彻底解决在横向扩充时所遭遇的性能、功能、容量三者之间难以取舍的权衡问题。评审专家表示,川源创新理念与技术在这方面领先业界至少2 -3年,这一优势在川源成功迈向新一代NVMe-oF 全闪存架构解决方案实际问世时,可全面提高国内数据中心的竞争优势。


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据介绍,川源于今年2月正式成立并落地于中国(上海)自由貿易试验区临港新片区。作为一家持有自主可控全闪存阵列 AFA核心技术的数据公司,川源在中国及全球各国注册核心战略专利超过600多个。川源董事长许肇元表示:川源的核心技术无开源代码或境外IP授权,100%是自主研发以及完整专利保护,不会受任何国际请示的影响,也同时符合国内100%技术自主可控。川源支持部署国内任何城市,同时100% 境内供应链提供实现国产替换。

作者:朱伟

编辑:王翔

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